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提高氣隙擊穿電壓的措施

來源:技術(shù)文章    更新時(shí)間:2013-09-26    瀏覽:8988次

提高氣隙擊穿電壓一般有兩種途徑:改善電場分布,使之均勻化;設(shè)法削弱或抑制氣體介質(zhì)中的電離過程。

改善電場分布的措施
(1)改變電極形狀
增大電極曲率半徑:如采用屏蔽罩、擴(kuò)徑導(dǎo)線等增大電極曲率半徑以減小zui大場強(qiáng);
改善電極邊緣形狀:電極邊緣做成弧形,或盡量使之與等位面相近,以消除邊緣效應(yīng);
使電極有*外形:電場優(yōu)化

利用空間電荷對原電場的畸變作用
例如利用電暈放電產(chǎn)生的空間電荷來改善極不均勻場間隙中電場分布,從而提高間隙的擊穿電壓。
但應(yīng)該指出,上述細(xì)線效應(yīng)只存在于一定的間隙距離范圍之內(nèi),間隙距離超過一定值,細(xì)線也將產(chǎn)生刷狀放電,從而破壞比較均勻的電暈層,使擊穿電壓與尖-板或尖-尖間隙的相近了。另外,此種提高擊穿電壓的方法僅在持續(xù)作用電壓下才有效,在雷電沖擊電壓下并不適用。

 

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